ZH619A0-600V高压半桥栅极驱动器

产品概述

     

       ZH619A0 是用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,其工作电压高达 600V。
      ZH619A0 具有高边和低边输入,以及两个带有内部死区时间的输出通道,以避免交叉传导。高低边的输出由输入独立控制,高压侧和低压侧均设置了欠压保护功能。


型号类型结构控制接口特性工作温度封装状态
ZH619A0600V NN栅极驱动器NN驱动2路PWM -40~125℃SOP8ACTIVE


产品特点


  • 驱动高边和低边N沟道功率MOSFET
  • 高端悬浮自举电源设计,耐压可达625V
  • 输出电流能力IO +0.3A/-0.5A
  • 逻辑输入电平兼容3.3V / 5V / 15V
  • 内置欠压保护功能
  • 内置死区控制电路 (典型100ns)
  • 高边输出与高边输入同相
  • 低边输出与低边输入同相
  • 内置闭锁防止直通功能封装形式:SOP8

技术文档

ZH619A0数据手册
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